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　　12月26日，記者從中車時(shí)代電氣獲悉，由公司牽頭完成的“3600A/4500V壓接型IGBT及其關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目，日前通過中國電子學(xué)會(huì)組織的成果鑒定。通過該項(xiàng)目的實(shí)施，公司研制出了世界功率等級(jí)最高的壓接絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）。據(jù)悉，這也是我國首次實(shí)現(xiàn)壓接型IGBT技術(shù)的零突破。本文由上海法鳴流體設(shè)備有限公司轉(zhuǎn)載發(fā)布。上海法鳴流體專業(yè)代理意大利CIMM進(jìn)口膨脹罐,進(jìn)口穩(wěn)壓罐,進(jìn)口壓力罐,進(jìn)口氣壓罐,定壓補(bǔ)水裝置等在中國的銷售，歡迎訪問官網(wǎng)查詢具體產(chǎn)品信息。

　　壓接型IGBT是柔性直流輸電領(lǐng)域的核心器件。外形上看，器件與晶閘管等器件相似。但其主要通過并聯(lián)多個(gè)“子單元”部件實(shí)現(xiàn)功率容量。芯片與電極間的電氣連接，則通過壓力實(shí)現(xiàn)。與傳統(tǒng)焊接型IGBT 模塊相比，該類模塊具容量大、高可靠性、失效短路模式等優(yōu)點(diǎn)。

　　中車時(shí)代電氣副總工程師劉國友介紹，此次研制出的3600A/4500V 壓接型IGBT模塊，是目前市場(chǎng)可見產(chǎn)品中容量最大，具雙面散熱、長期穩(wěn)定失效短路能力的器件。它的研制“融入”了大尺寸U形元胞壓接型芯片、基于低溫納米銀燒結(jié)的芯片強(qiáng)化、大面積方形陶瓷管殼并聯(lián)均流封裝等多項(xiàng)核心技術(shù)，突破了芯片大規(guī)模并聯(lián)壓接封裝中的壓力均衡及電流均衡的技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)了器件特性與可靠性的雙重提升。該大容量壓接型IGBT模塊，現(xiàn)已通過多家電網(wǎng)企業(yè)的柔直換流閥級(jí)的示范應(yīng)用驗(yàn)證試驗(yàn)，可達(dá)量產(chǎn)及工程化應(yīng)用要求。